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A、N区内的多子电子是顺着外电场的方向运动
B、N区内的杂质正离子是顺着外电场的方向运动
C、P区内的多子空穴是顺着外电场的方向运动
D、P区内的杂质负离子是逆着外电场的方向运动
喵查答案：P区内的多子空穴是顺着外电场的方向运动
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A、虽然PN结外加正向电压，PN结的电流也可能为零
B、PN结的门坎电压就是正向导通电压
C、PN结的正向导通电流的方向是由P区指向N区
D、PN结的正向导通电流是P区的空穴与N区的电子的电流之和
喵查答案：PN结的门坎电压就是正向导通电压
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A、
B、
C、
D、
喵查答案：
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A、
B、
C、
D、
喵查答案：
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A、N区的电子与P区的空穴都靠近空间电荷区，使空间电荷区变宽
B、N区的空穴与P区的电子都远离空间电荷区，使空间电荷区变宽
C、N区的电子与P区的空穴形成的电流，称为反向电流
D、N区的空穴与P区的电子形成的电流，称为反向电流
喵查答案：N区的空穴与P区的电子形成的电流，称为反向电流
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A、
B、
C、
D、
喵查答案：
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A、
B、
C、
D、
喵查答案：
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A、热敏特性
B、光敏特性
C、掺杂特性
D、以上所有特性
喵查答案：掺杂特性
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A、
B、
C、
D、
喵查答案：
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A、
B、
C、
D、
喵查答案：
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A、
B、
C、
D、
喵查答案：
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A、在N型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其改型为P型半导体
B、由于PN结交界面处有电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过
C、PN结的伏安特性方程可以描述死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区的特性
D、因为P型半导体的多子是空穴，少子是自由电子，因此P型半导体带正电
喵查答案：在N型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其改型为P型半导体
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A、无穷大
B、约几千欧姆
C、约几十欧姆
D、零
喵查答案：零
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A、无穷大
B、约几千欧姆
C、约几十欧姆
D、零
喵查答案：无穷大
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A、P端接正极，N端接负极
B、P端接负极，N端接正极
C、P端和N端均接正极
D、P端和N端均接负极
喵查答案：P端接正极，N端接负极
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