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A、导通
B、截止
C、反向击穿
D、烧毁
喵查答案：烧毁
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A、N区的电子与空间电荷区中的杂质正离子复合，使得空间正电荷区变窄
B、P区的空穴与空间电荷区中的杂质负离子复合，使得空间负电荷区变窄
C、N区的电子顺着外电场方向运动，越过PN结在P区形成非平衡少子电子的浓度分布
D、P区的空穴顺着外电场方向运动，越过PN结在N区形成非平衡少子空穴的浓度分布
喵查答案：N区的电子顺着外电场方向运动，越过PN结在P区形成非平……继续阅读 »
A、PN结正向导通时具有负的温度系数
B、PN结反向截止时具有负的温度系数
C、PN结反向击穿时具有负的温度系数
D、PN结具有温度敏感性的原因是由于多子参与导电
喵查答案：PN结正向导通时具有负的温度系数
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A、二极管的交流电阻是一个固定不变的常数
B、二极管的直流电阻是一个固定不变的常数
C、二极管的静态电流越大，它的交流电阻越小
D、二极管的静态电流越大，它的交流电阻越大
喵查答案：二极管的静态电流越大，它的交流电阻越小
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A、二极管的雪崩击穿发生在掺杂浓度较大的PN结
B、二极管的齐纳击穿发生在掺杂浓度较小的PN结
C、二极管的雪崩击穿和齐纳击穿都是属于热击穿
D、二极管的雪崩击穿和齐纳击穿都是属于电击穿
喵查答案：二极管的雪崩击穿和齐纳击穿都是属于电击穿
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A、二极管的势垒电容是指PN结反偏时，杂质正负离子区域形成的电容效应
B、二极管的扩散电容是指PN结正偏时，非平衡少子在P区和N区形成的电容效应
C、二极管在低频区工作时，可以忽略它的电容效应
D、二极管在高频区工作时，可以忽略它的电容效应
喵查答案：二极管在高频区工作时，可以忽略它的电容效应
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A、激发和复合是两个相反的物理过程
B、杂质半导体中有两种不同的激发形式，即本征激发和掺杂激发，其中掺杂激发是主要的激发形式
C、杂质半导体中只有掺杂激发过程，本征激发只发生在本征半导体中
D、N型半导体中杂质正离子是因为失去一个多余的电子而形成的
喵查答案：杂质半导体中只有掺杂激发过程，本征激发只发生在本征半导体中
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A、一般把PN结的结电容视为二极管的极间电容
B、硅二极管的反向电流小于锗二极管的反向电流
C、硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压
D、二极管具有单向导电性，因此希望反向电流越小越好
喵查答案：硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压
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A、击穿特性
B、线性特性
C、电容效应
D、温度特性
喵查答案：线性特性
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图题1.9所示电路中，已知稳压管DZ的稳定电压，最小稳压电流，额定功率，二极管D的正向压降。限流电阻R的最小值为（ ）。 图题1.9
A、50
B、100
C、150
D、200
喵查答案：100
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图题1.10所示，已知稳压管的参数为，，。试判断图中稳压电路能否正常稳压（ ）。 图题1.10
A、不能稳压，因为限流电阻的阻值过小
B、不能稳压，因为限流电阻的阻值过大
C、能稳压，因为限流电阻的阻值满足要求
D、能稳压，因为对限流电阻的阻值没有要求
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图题1.11所示，已知稳压管的参数为，，。试判断图中稳压电路能否正常稳压（ ）。 图题1.11
A、不能稳压，因为限流电阻的阻值过小
B、不能稳压，因为限流电阻的阻值过大
C、能稳压，因为限流电阻的阻值满足要求
D、能稳压，因为对限流电阻的阻值没有要求
喵查答案：能稳压，因为限流电阻……继续阅读 »
在图题1.12中，已知，稳压管的正向导通压降。输入电压为正半周时，下面说法正确的是（ ）。 图题 1.12
A、工作在稳压状态，工作在正向导通，
B、工作在稳压状态，工作在正向导通，
C、工作在正向导通，工作在稳压状态，
D、工作在正向导通，工作在稳压状态，
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在图题1.13中，已知，稳压管的正向导通压降。输入电压为负半周时，下面说法正确的是（ ）。 图题1.13
A、工作在稳压状态，工作在正向导通，
B、工作在稳压状态，工作在正向导通，
C、工作在正向导通，工作在稳压状态，
D、工作在正向导通，工作在稳压状态，
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在图题1.14所示的电路中，发光二极管导通电压，正向电流在5~10mA时才能正常工作，当电阻R取值为500时，判断二极管能否发光（ ）。 图题1.14
A、开关S闭合，电阻R的阻值取值过大，不能发光
B、开关S闭合，电阻R的阻值取值过小，不能发光
C、开关S闭合，电阻R的阻值适合，能发光
D、开关S断开不发光，闭合，就能发……继续阅读 »
