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Semiconductor Physics

中国大学MOOC答案

长为2 cm的具有矩形截面的 Ge样品，截面线度分别为1mm和 2mm，掺有受主，锗中的电子迁移率为，空穴迁移率为,再掺入施主后，假设迁移率不受影响，求室温时样品的电阻

长为2 cm的具有矩形截面的 Ge样品，截面线度分别为1mm和 2mm，掺有受主，锗中的电子迁移率为，空穴迁移率为,再掺入施主后，假设迁移率不受影响，求室温时样品的电阻
长为2 cm的具有矩形截面的 Ge样品，截面线度分别为1mm和 2mm，掺有受主，锗中的电子迁移率为，空穴迁移率为,再掺入施主后，假设迁移率不受影响，求室温时样品的电阻 A、4.1Ω B、8.68Ω C、2.73Ω D、5.78Ω 喵查答案：4.1Ω ……继续阅读 »

中国大学MOOC答案

长为2 cm的具有矩形截面的 Ge样品，截面线度分别为1mm和 2mm，掺有受主，锗中的电子迁移率为，空穴迁移率为,再掺入施主后，假设迁移率不受影响，求室温时样品的电导率

长为2 cm的具有矩形截面的 Ge样品，截面线度分别为1mm和 2mm，掺有受主，锗中的电子迁移率为，空穴迁移率为,再掺入施主后，假设迁移率不受影响，求室温时样品的电导率
长为2 cm的具有矩形截面的 Ge样品，截面线度分别为1mm和 2mm，掺有受主，锗中的电子迁移率为，空穴迁移率为,再掺入施主后，假设迁移率不受影响，求室温时样品的电导率 A、24.32 B、11.52 C、36.48 D、17.28 喵查答案：24.32 ……继续阅读 »

中国大学MOOC答案

关于玻尔兹曼分布说法正确的是

关于玻尔兹曼分布说法正确的是
A、在E-EF大于几个k0T时，费米分布可以近似成玻尔兹曼分布 B、玻尔兹曼分布针对的粒子是需要考虑自旋方向的 C、玻尔兹曼分布针对的粒子满足泡利不相容原理 D、玻尔兹曼分布和费米分布没什么区别，可以替代使用 喵查答案：在E-EF大于几个k0T时，费米分布可以近似成玻尔兹曼分布 ……继续阅读 »

中国大学MOOC答案

关于载流子浓度乘积n0p0说法正确的是

关于载流子浓度乘积n0p0说法正确的是
A、载流子浓度的乘积受温度和禁带宽度的影响 B、载流子浓度的乘积与费米能级距导带底的距离有关 C、载流子浓度的乘积与费米能级距价带顶的距离有关 D、半导体是本征半导还是杂质半导体，影响载流子浓度的乘积 喵查答案：载流子浓度的乘积受温度和禁带宽度的影响 ……继续阅读 »

中国大学MOOC答案

关于杂质补偿说法错误的是

关于杂质补偿说法错误的是
A、半导体中几乎不含有载流子，说明半导体是高纯半导体 B、施主杂质浓度远高于受主杂质浓度，半导体表现为n型半导体 C、受主杂质浓度远高于施主杂质浓度，半导体表现为p型半导体 D、利用杂质补偿，可以制作pn结，三级管等半导体器件 喵查答案：半导体中几乎不含有载流子，说明半导体是高纯半导体 ……继续阅读 »