组合放大电路如图1所示。已知两个晶体管的参数相同：rbb¢= 0，rb¢e=1 kW，β＝50，rce=∞；RC= RL=5kW，RE=1kW，RB= 150kW。该电路的交流通路如图2所示。 图1 图2
组合放大电路如题图所示。已知两个晶体管的参数相同：rbb¢= 0，rb¢e=1 kW，β＝50，rce=∞；RC= RL=5kW，RE=1kW，RB= 150kW。该电路的输出电阻Ro为（ ）。
电路如题图所示，电容C对信号可视为短路。半导体三极管的b=100，rbb¢= 0，UT= 26mV，基极静态电流由电流源IB提供，设IB= 20mA，RS=0.15kW，RE = RL= 2kW。试计算Au= Uo / Ui。
电路如题图所示，电容C对信号可视为短路。半导体三极管的b=100，rbb¢= 0，UT= 26mV，基极静态电流由电流源IB提供，设IB= 20mA，RS=0.15kW，RE = RL= 2kW。试计算Ro。
在题图所示的共基放大电路中，电容C对信号可视为短路。晶体管的β＝50，rbb¢= 50W，RB1= 30kW，RB2=15kW，UCC=12V，RC=3kW，RE=2kW，RL=3kW。该电路的静态工作点为（ ）。
在题图所示的共基放大电路中，电容C对信号可视为短路，晶体管的β＝50，rbb¢= 50W，RB1= 30kW，RB2=15kW，UCC=12V，RC=3kW，RE=2kW，RL=3kW。该电路的增益Au为（ ）。
在题图所示的共基放大电路中，电容C对信号可视为短路，晶体管的β＝50，rbb¢= 50W，RB1= 30kW，RB2=15kW，UCC=12V，RC=3kW，RE=2kW，RL=3kW。电路的输出电阻Ro为( )。
组合放大电路如题图所示。已知两个晶体管的参数相同：rbb¢= 0，rb¢e=1 kW，β＝50，rce=∞；RC= RL=5kW，RE=1kW，RB= 150kW。该电路的输入电阻Ri为（ ）。
组合放大电路如题图所示。已知两个晶体管的参数相同：rbb¢= 0，rb¢e=1 kW，β＝50，rce=∞；RC= RL=5kW，RE=1kW，RB= 150kW。该电路的电压增益Au为（ ）。
放大电路及晶体管三极管的输出特性如题图所示。设UBE(on) ＝0V，UCC＝12V，各电容对信号视作短路，若电路中加接RL = 2kW的负载，设RB可调节，为得到最大的输出电压振幅值Uom，工作点应选取Q点（）。
硅晶体管电路如题图所示。设晶体管的UBE(on) = 0.7V, b = 100。则管子工作在放大状态。
硅晶体管电路如题图所示。设晶体管的UBE(on) = 0.7V, b = 100。则管子工作在放大状态。
晶体管电路如题图所示。已知β＝100，UBE ＝﹣0.3V，则直流工作点ICQ、UCEQ分别是( )。
放大电路及晶体管三极管的输出特性如题图a、b所示。设UBE(on) ＝0V，各电容对信号视作短路，则晶体管的β和rce分别为（ ）。
放大电路及晶体管的输出特性如图所示。设UBE(on)＝0V，UCC＝12V，各电容对信号视作短路，则电路的交流负载线为（）。
