将256×1位ROM扩展为1024×1位ROM，地址线为 根。
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如下图所示的RAM芯片组成的存储器，存储器的总容量是 。
用PLA实现组合逻辑时应将函数 ；而用ROM实现组合逻辑时不对函数作任何化简。
计算CMOS逻辑门的扇出数时，只使用静态的输入电流和输出电流计算。
MOS数字集成电路的发展经历了由PMOS、NMOS到CMOS的过程，其中PMOS电路问世最早。PMOS管是以空穴为导电载流子，而NMOS管以电子为导电载流子，由于空穴的迁移率比电子低，因此，NMOS电路的工作速比PMOS电路快，而且PMOS使用负电源，与TTL电路不匹配，所以PMOS集成电路被NMOS电路取代。后来发展的CMOS电路有静态功耗低、抗干扰能力强等诸多优点而成为主流器件。对吗？
在一个系统中，对于引脚封装相同的集成电路74LS00与74HC00可以互换使用。对吗？
集成逻辑门电路在使用时，一般不让多余的输入端悬空，以防引入干扰信号。对多余输入端的处理以不改变电路工作状态及稳定可靠为原则。对吗？
MOS型集成逻辑门有CMOS、NMOS、PMOS，双极型集成逻辑门主要有TTL和ECL，混合型集成逻辑门有BiCMOS。对吗？
噪声容限表示门电路的抗干扰能力。电路的噪声容限愈大，其抗干扰能力愈强。对吗？
传输延迟时间是表征门电路开关速度的参数，它说明门电路在输入脉冲波形的作用下，其输出波形相对于输入波形延迟了多长时间，其数值与电源电压VDD及负载电容的大小有关。
功耗是门电路重要参数之一。功耗有静态和动态之分。所谓静态功耗是指电路输出没有状态转换时的功耗。而电路在输出发生状态转换时的功耗称为动态功耗。对吗？
CMOS电路的动态功耗主要由两部分组成。一部分是电路输出状态转换瞬间MOS管的导通功耗。另一部分是因为CMOS管的负载通常是电容性的，当输出由高电平到低电平，或者由低电平到高电平转换时，会对电容进行充、放电，这个过程将增加电路的损耗。对吗？
CMOS电路的动态功耗正比于转换频率和电源电压的平方。当工作频率增加时，CMOS门的动态功耗会线性增加。当电源电压增加时，电路的功耗也会增加。
按照制造门电路晶体管的不同，集成门电路分为MOS型、双极型和混合型。对吗？
类NMOS或非门的工作管是串联的，当输入全为高电平时，各管的导通电阻串联，使低电平输出电压升高，以致破坏正常逻辑功能；而类NMOS与非门的工作管是并联的，增加NMOS管的数目不会影响低电平输出电压的稳定，因而类NMOS电路多以与非门作为基本门电路。对吗？
