PN结外加正向电压时,下面错误的说法是( )。 A、N区的电子与空间电荷区中的杂质正离子复合,使得空间正电荷区变窄 B、P区的空穴与空间电荷区中的杂质负离子复合,使得空间负电荷区变窄 C、N区的电子顺着外电场方向运动,越过PN结在P区形成非平衡少子电子的浓度分布 D、P区的空穴顺着外电场方向运动,越过PN结在N区形成非平衡少子空穴的浓度分布 喵查答案:N区的电子顺着外电场方向运动,越过PN结在P区形成非平……继续阅读 »
下面正确的说法是( )。 A、PN结正向导通时具有负的温度系数 B、PN结反向截止时具有负的温度系数 C、PN结反向击穿时具有负的温度系数 D、PN结具有温度敏感性的原因是由于多子参与导电 喵查答案:PN结正向导通时具有负的温度系数 ……继续阅读 »
下面正确的说法是( )。 A、二极管的交流电阻是一个固定不变的常数 B、二极管的直流电阻是一个固定不变的常数 C、二极管的静态电流越大,它的交流电阻越小 D、二极管的静态电流越大,它的交流电阻越大 喵查答案:二极管的静态电流越大,它的交流电阻越小 ……继续阅读 »
下面正确的说法是( )。 A、二极管的雪崩击穿发生在掺杂浓度较大的PN结 B、二极管的齐纳击穿发生在掺杂浓度较小的PN结 C、二极管的雪崩击穿和齐纳击穿都是属于热击穿 D、二极管的雪崩击穿和齐纳击穿都是属于电击穿 喵查答案:二极管的雪崩击穿和齐纳击穿都是属于电击穿 ……继续阅读 »
下面错误的说法是( )。 A、二极管的势垒电容是指PN结反偏时,杂质正负离子区域形成的电容效应 B、二极管的扩散电容是指PN结正偏时,非平衡少子在P区和N区形成的电容效应 C、二极管在低频区工作时,可以忽略它的电容效应 D、二极管在高频区工作时,可以忽略它的电容效应 喵查答案:二极管在高频区工作时,可以忽略它的电容效应 ……继续阅读 »
下面错误的说法是( )。 A、激发和复合是两个相反的物理过程 B、杂质半导体中有两种不同的激发形式,即本征激发和掺杂激发,其中掺杂激发是主要的激发形式 C、杂质半导体中只有掺杂激发过程,本征激发只发生在本征半导体中 D、N型半导体中杂质正离子是因为失去一个多余的电子而形成的 喵查答案:杂质半导体中只有掺杂激发过程,本征激发只发生在本征半导体中 ……继续阅读 »
下面错误的说法是( )。 A、一般把PN结的结电容视为二极管的极间电容 B、硅二极管的反向电流小于锗二极管的反向电流 C、硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压 D、二极管具有单向导电性,因此希望反向电流越小越好 喵查答案:硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压 ……继续阅读 »
图题1.9所示电路中,已知稳压管DZ的稳定电压,最小稳压电流,额定功率,二极管D的正向压降。限流电阻R的最小值为( )。 图题1.9 图题1.9所示电路中,已知稳压管DZ的稳定电压,最小稳压电流,额定功率,二极管D的正向压降。限流电阻R的最小值为( )。 图题1.9 A、50 B、100 C、150 D、200 喵查答案:100 ……继续阅读 »
图题1.10所示,已知稳压管的参数为,,。试判断图中稳压电路能否正常稳压( )。 图题1.10 图题1.10所示,已知稳压管的参数为,,。试判断图中稳压电路能否正常稳压( )。 图题1.10 A、不能稳压,因为限流电阻的阻值过小 B、不能稳压,因为限流电阻的阻值过大 C、能稳压,因为限流电阻的阻值满足要求 D、能稳压,因为对限流电阻的阻值没有要求 喵查答案:不能稳压,因为限流电阻的阻值……继续阅读 »
图题1.11所示,已知稳压管的参数为,,。试判断图中稳压电路能否正常稳压( )。 图题1.11 图题1.11所示,已知稳压管的参数为,,。试判断图中稳压电路能否正常稳压( )。 图题1.11 A、不能稳压,因为限流电阻的阻值过小 B、不能稳压,因为限流电阻的阻值过大 C、能稳压,因为限流电阻的阻值满足要求 D、能稳压,因为对限流电阻的阻值没有要求 喵查答案:能稳压,因为限流电阻……继续阅读 »