晶体管工作在饱和状态时,( )。 A、 发射结正偏,集电结反偏 B、 发射结正偏,集电结正偏 C、 发射结反偏,集电结正偏 D、 发射结反偏,集电结反偏 喵查答案: 发射结正偏,集电结正偏 ……继续阅读 »
某场效晶体管当UDS>0、UGS<0时可导通,则此场效晶体管为( )。 A、NMOS增强型管 B、NMOS耗尽型管 C、PMOS增强型管 D、PMOS耗尽型管 喵查答案:NMOS耗尽型管 ……继续阅读 »
已知一个Us=20V的理想电压源与一个R=4Ω的电阻相并联,则这个并联电路的等效电路可用( )表示。 A、Us=20V的理想电压源 B、Is=5A的理想电流源 C、Is=80A的理想电流源与R=4Ω的电阻相串联的电路 D、Is=5A的理想电流源与R=4Ω的电阻相串联的电路 喵查答案:Us=20V的理想电压源 ……继续阅读 »
已知某一支路由一个Us=10V的理想电压源与一个R=2Ω的电阻串联,则这个串联电路对外电路来讲,可用( )来进行等效。 A、Us=10V的理想电压源 B、Is=5A的理想电流源与R=2Ω的电阻相并联的电路 C、Is=5A的理想电流源 D、Is=20A的理想电流源与R=2Ω的电阻相并联的电路 喵查答案:Is=5A的理想电流源与R=2Ω的电阻相并联的电路 ……继续阅读 »
已知3个串联电阻的功率分别为PR1=12W,PR2=16W,PR3=24W,电阻R1=3Ω,则电阻R2和R3的阻值分别为( ) A、R2=8Ω,R3=12Ω B、R2=6Ω,R3=4Ω C、R2=4Ω,R3=6Ω D、R2=2.25Ω,R3=1.5Ω 喵查答案:R2=4Ω,R3=6Ω ……继续阅读 »
关于n个并联电阻的特征描述,下列哪个叙述是正确的( )。 A、并联的电阻越多,等效电阻就越大。 B、并联电阻值越大,所分得的电流越大。 C、在理想电流源供电的情况下,当n个并联电阻中有一个电阻阻值为零时,电流源的两端电压为零。 D、在理想电压源供电的情况下,并联电阻值越小,所吸收的功率就越小。 喵查答案:在理想电流源供电的情况下,当n个并联电阻中有一个电阻阻值为零时,电流源的两端电压为零。 ……继续阅读 »