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某场效应管的转移特性曲线如图所示，试问该管子是什么类型？
A、N沟道JFET
B、P沟道JFET
C、N沟道增强型MOS管
D、P沟道增强型MOS管
喵查答案：N沟道JFET
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由耗尽型NMOS场效应管构成的共源放大电路如图（a）所示，若用示波器观察电路的输入、输出波形出现图（b）所示的波形，则可判断该电路：
A、静态工作点过于靠近截止区
B、静态工作点过于靠近饱和区
C、静态工作点过于靠近恒流区
D、静态工作点过于靠近击穿区
喵查答案：静态工作点过于靠近截止区
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如图两个电路能否放大输入信号？
A、（a）不可以 （b）不可以
B、（a）可以 （b）可以
C、（a）可以 （b）不可以
D、（a）不可以 （b）可以
喵查答案：（a）可以 （b）不可以
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A、AA
B、AB
C、AC
D、BA
E、BB
F、BC
G、CA
None、CB
None、CC
None、均不正确
喵查答案：AB
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A、N沟道结型管
B、P沟道结型管
C、耗尽型PMOS管
D、耗尽型NMOS管
E、增强型PMOS管
F、增强型NMOS管
喵查答案：耗尽型PMOS管
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下图中的四个偏置电路中，能处于放大状态的是：
A、(b)
B、（a)
C、(c)
D、(d)
喵查答案：(c)
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图示电路中，若源极电阻RS增大，则该电路的漏电流ID会：
A、减小
B、增大
C、不变
D、不定
喵查答案：不变
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A、正确
B、错误
喵查答案：正确
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A、正确
B、错误
喵查答案：正确
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A、正确
B、错误
喵查答案：错误
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A、正确
B、错误
喵查答案：错误
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A、AB
B、BC
C、CA
D、CB
喵查答案：CA
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A、自由电子
B、
空穴
C、带负电的杂质离子
D、带正电的杂质离子
喵查答案：自由电子
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A、本征半导体
B、五价半导体
C、
P型半导体
D、N型半导体
喵查答案：N型半导体
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A、单向导电性
B、反向击穿性
C、
正向特性
D、稳压特性
喵查答案：反向击穿性
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